近日,中芯国际与大唐电信(600198,股吧)科技产业集团旗下联芯科技有限公司宣布,中芯国际28纳米高介电常数金属闸极(HKMG)制程已成功流片,基于此平台,联芯科技推出了适用于智能手机等领域的28纳米SoC芯片,目前已通过验证,准备进入量产阶段。该芯片的面世将推动“中国芯”的智能手机进一步扩大市场份额。
中芯国际是中国大陆首家能够同时提供28纳米多晶硅(PolySiON)和HKMG制程的晶圆代工企业。与传统的PolySiON制程相比,中芯国际28纳米HKMG技术将有效改善驱动能力,进而提升晶体管的性能,同时大幅降低栅极漏电量。
另据了解,基于上述平台,联芯科技推出的智能手机SoC芯片拥有更高的性能、更快的速度以及更低的功耗,CPU主频达1.6GHz。延续联芯科技在4G移动通信市场的佳绩,该芯片的面世将推动搭载“中国芯”的智能手机进一步扩大市场份额。
中芯国际首席执行官兼执行董事邱慈云表示,28纳米HKMG工艺获得了终端客户的认可,商用在即,预计将在2016年底推出基于HKMG制程的紧凑加强型版本,为客户提供更多优化的制程选择。
联芯科技总经理钱国良则表示,此举将有力地推动国产芯片技术的发展,直接帮助联芯科技的芯片产品进一步提升性价比,服务于智能手机、智能汽车,以及机器人等领域。