12届国际集成电路研讨会(IIC-China )于3/5至3/14分别在深圳、上海、北京举办，预计参展厂商高达229家。而参展对象除了国际知名大厂之外，中国国内的集成公司也为数不少，参展厂商性质多为消费性电子组件的相关厂商。
而深圳的技术研讨会中，移动通讯产品中的内建内存趋势为内存厂商讨论的焦点。主要原因在于中国移动通讯以及消费性电子市场规模庞大，除了国际手机大厂之外，白牌手机厂商也盘据各山头。虽然低价手机仍为当地市场销售主流，但多媒体以及智能型手机成长力道惊人。而在手机功能日趋复杂的趋势下，各家内存厂商也针对于不同市场的移动通讯产品提出了相关的内建内存解决方案，并且从中寻求最低成本的内存配置方式为所有内存厂商与手机业者所关注的焦点。
手机的类型从具有单一通话功能的基本型手机到多媒体以及智能手机等等。不同类型的手机都需要不同的内存解决方案。但基本使用在手机中的内存大致上可以分为三大类类型，RAM、NOR FLASH、NAND FLASH等产品。SRAM、PSRAM和Mobile DRAM(SDR和DDR)等都提供几乎相同的省电特性、类似的时序和电流指标，并能配合NOR或NAND闪存的工作以储存程序代码和数据。而在手机轻薄短小趋势下，手机内建内存多采MCP设计，将不同种类的内存整合。
基本型手机具有最少的内存需求，单一通话型手机仅仅需要少量的工作内存和数据内存，以便保存手机号码、呼叫记录和简讯。因此多半采取容量为4Mb到32Mb的SRAM或PSRAM并且与容量为16到64Mb的NOR FLASH搭配。
多媒体以及智能型手机的内存需求很大，手机功能支持游戏、多媒体讯息、MP3下载播放、收发静态影像和VGA彩色显示，部分更高阶功能手机额外增加了视讯和音讯串流。执行多种应用的高性能手机多半采用256Mb的NOR闪存、512Mb NAND闪存、64Mb PSRAM和256Mb Mobile SDRAM。
然而在内建内存的发展趋势上，仅具有最基本功能的低价手机中，SRAM逐渐被PSRAM所取代。主要原因在于PSRAM相较于SRAM更为省电，以及容量较大，并且具有较好的成本优势。目前主要生产PSRAM厂商包括Winbond、Qimonda、Micron等公司。
虽然PSRAM较为省电节能，但是相较于LPDRAM其容量较低，目前容量由16Mb至256Mb。但是对于多媒体手机以及智能型手机而言，单纯的PSRAM架构已经不足负荷庞大的数据量，因此LPDRAM逐渐崛起。LPDRAM规格大致上可以分为LPSDRAM、LPDDR以及未来将会开发出LPDDR2等产品，其容量由64Mb至2Gb不等，未来在手机应用上比重将逐渐增加。
此外，手机中内存除了上述RAM的部份，NOR与NAND FLASH未来型态也将逐渐改变，Intel与三星在这次的展览中也介绍了未来新一代的内存，相变化内存(Phase change memory)，简称PCM / PRAM/OUM，藉由通过电流加温而改变材料状态(藉以写入数据)，因此当组件愈小，所需的电流(耗电量)也愈小，速度则愈快，这也是相变化内存最被看好的一个特性。此外，非挥发性的特质使其同时具有容量大、低耗能等特性。被看好最有机会取代当前的DRAM与FLASH。然而目前仍有许多问题要克服，例如当外在环境温度变化时，如何不影响PCM的状态为目前面临问题之一。因此Intel认为这项产品必须要到2009年才会量产，甚至在2012年将有机会全面取代掉NOR FLASH。
总而言之，尽管手机中的应用复杂，但是在不影响效能下，成本始终是使用者的最重要考虑。因此如何在不同的内存配置中寻求出最适合的解决方案为所有厂商必须要正视的重大课题。
